（一）碘化铯/非晶硅型： 总结原理：X线先经荧光介质材料转换成红外线，再行由光敏元件将红外线信号转换成电信号，最后将仿真电信号经A/D转换成数字信号。 明确原理： 1、曝光前，再行使硅表面存储阳离子而产生皆一电荷，造成在硅表面产生电子场； 2、曝光期间，在硅内产生电子-空穴对，且自由电子游离到表面，造成在硅表面产生潜在的电荷影像，在每一点上电荷密度与局部X线强度非常。 3、曝光后，X线图像被储存在每一个像素中； 4、半导体转换器朗读每一个素，已完成模数转换。 优点： 1、切换效率高； 2、动态范围广； 3、空间分辨率低； 4、在低分辨率区X线吸收率低（原因是其原子序数低于非晶硒）； 5、环境适应性强劲。
缺点： 1、低剂量时DQE不如非晶硒型； 2、因有荧光切换层故不存在严重衍射效应； 3、锐利度比较略低于非晶硒型。 （二）非晶硒型 总结原理：光导半导体必要将接管的X线光子转换成电荷，再行由薄膜晶体管阵列将电信号朗读并数字化。 明确原理： 1、X线入射光子在非晶硒层唤起出有电子-空穴对； 2、电子和空穴在另加电场的起到下做到反向运动，产生电流，电流的大小与入射光的X线光子数量成正比； 3、这些电流信号被存储在TFT的极间电容上，每一个TFT和电容就构成一个像素单元。
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